Toshiba: a 1350V discrete IGBT "GT20N135SRA" for use in voltage resonance circuits in tabletop IH cookers and other home appliances.

December 24, 2019 01:59 AM Eastern Standard Time

東京--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）已推出一款1350V分立式絕緣閘雙極型電晶體(IGBT) GT20N135SRA，適用於檯面式電磁感應加熱(IH)調理爐、IH電子鍋、微波爐及其他家用電器的電壓諧振電路。即日起出貨。

GT20N135SRA的集電極-發射極飽和電壓[1]為1.75V，二極體正向電壓[2]為1.8V，分別比當前產品[3]低約10%和21%。IGBT和二極體在高溫(TC=100℃)下均具有改良型傳導損耗特性，新型IGBT可幫助降低設備功耗。它還具有0.48℃/W（最大值）的結到外殼熱阻，比當前產品[3]低約26%，從而簡化熱設計。

新型IGBT可抑制設備開啟時流過諧振電容器的短路電流。其電路電流[4]峰值為129A，比當前產品[3]降低約31%。隨著安全操作範圍的擴大，與當前產品[3]相比，它讓設備設計變得更加輕鬆。

應用場合

使用電壓諧振電路的家用電器（例如檯面式IH調理爐、IH電子鍋和微波爐）

特性

• 低傳導損耗：
  V CE（飽和）= 1.6V（典型值）（IC = 20A、VGE = 15V、Ta = 25℃時）
  VF = 1.75V（典型值）（IF = 20A、VGE = 0V、Ta = 25℃時）

• 低結到外殼熱阻：Rth（結到外殼）= 0.48℃/W（最大值）

• 抑制設備開啟時流過諧振電容器的短路電流。

• 廣泛的安全操作範圍

主要規格

注釋：
[1] 截至2019年6月，東芝測得值。（測試條件：IC = 20A，VGE = 15V，TC = 100℃）
[2] 截至2019年6月，東芝測得值。（測試條件：IF = 20A，VGE = 0V，TC = 100℃）
[3] 東芝的當前產品GT40RR21
[4] 截至2019年6月，東芝測得值。（測試條件：VCC = 300V，VGG = 15V，C =0.33μF，t =5μs，Ta = 25℃）

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